磁控溅射蒸发镀膜机

西域库存号：

L3320302    

产品名称：

磁控溅射蒸发镀膜机

产品简述：

EHSY Lab西域品质提供的磁控溅射蒸发镀膜机性能卓越，能满足您不同工作

环境的多种需求。


1.设备简介及功能概述

磁控溅射/蒸发镀膜机主要由镀膜腔室（φ350×H400），配两只永磁靶及直

流/非平衡双极脉冲中频/射频磁控溅射电源，另可配蒸发电极及蒸发电源，

采用“分子泵+机械泵”真空系统。

该设备具有多靶磁控与蒸发双重功能，能实现一机多用，可用来制备导电

膜、半导体膜、绝缘膜、多层膜等。

2.设备基本结构

2.1 镀膜腔室

2.1.1 腔室尺寸φ350 mm×H400mm，立式圆柱形、上开门结构，材质为优质不

锈钢，所有焊缝连接采用氩弧自动焊接技术，内表面抛光，外表面进行喷

砂、喷丸、电抛三项处理；

2.1.2主要部件装配位置

2.1.2.1安装两只Ф50.8的永磁靶于腔室底部；

2.1.2.2 预留一对蒸发电极接口；

2.1.2.3基片台位于腔室的顶部；

2.1.2.4抽气口位于腔室侧后部，通过不锈钢管接分子泵进行抽真空；

2.1.2.5工作气体从腔室底部进入；

2.1.2.6Ф80观察窗1套，位于镀膜腔室中心位置；

2.1.2.7充气阀位于腔室右下侧位置。

2.1.2.8预留CF35标准接口2个。

2.2 基片台

2.2.1.基片台具有旋转功能，转速可调。转盘上存放基片的载物台采用优质

不锈钢制造，基片架与靶面间距可手动调节。

2.2.2.防护罩有二重功效，一是在清洁基片时要保护靶面不受污染；另一是

在清洗靶面时要保护基片洁净；

2.2.3．基片台上设计有负偏压装置，用户可选配偏压电源，在镀膜过程中加

负偏压，以提高膜的附者力；

2.2.4．可选购通水冷却基片台，水温控制在10℃至27℃。（注：水冷时严禁

加热）。

2.3.靶、电极的结构、尺寸及功能

2.3.1 两只永磁靶，预留一对水冷电极接口，各靶、蒸发电极均有水冷。 靶

面与基片台间距一定范围内手动可调，方便调整掌握最佳镀膜距离；靶配防

污挡板；

2.3.2．配以1000VA A2K非平衡双极脉冲中频电源用于圆形平面磁控靶的溅射

镀膜；

2.3.3.可选配1000VA的直流电源用于磁控溅射制作金属膜，500VA射频电源用

于溅射陶瓷膜、绝缘膜等。

2.3.4可选配1000VA蒸发电源用于电阻蒸发。

2.4．加热、温度测量及其控制系统

2.4.1．加热器采用铠装加热丝辐射加热，加热温度从室温至300ْC连续可调；

2.4.2．温度测量采用热电偶测量，测温点位于基片台附近，从腔室顶部引

入；

2.4.3．温度控制采用PID温控仪；

2.5真空获得系统

2.5.1.真空机组采用600 l/s分子泵1台，6l/s机械泵1台；

2.5.2.ф150mm气动主阀 1个；

2.5.3.ф150mm气动限流阀1个；

2.5.4.ф25mm气动前级阀 / 旁路阀各一个；

2.5.5. ф6mm手动充气阀1个。

2.6真空测量系统

采用数显复合真空计测量真空度,(一低一高),真空测量范围：105～10-5Pa

电阻规：105～10-1Pa 一个

电离规：10-1～10-5Pa 一个

2.7真空密封：相对固定部分采用金属密封，可动部分采用氟橡胶密封；

2.8.电气控制系统

2.8.1整套控制系统采用手动按钮控制，以便进行镀膜工艺参数的摸索；独立

的电气控制柜；

2.8.2．控制内容：

2.8.2.1．机械泵、分子泵、阀的起、停；

2.8.2.2．溅射靶或蒸发电极在缺水情况下的报警系统；

2.8.2.3．基片台加热烘烤系统；

2.8.2.4．基片台的旋转运动；

2.8.2.5．气体流量显示；

2.9电源

2.9.1.1000VA A2K非平衡双极脉冲中频电源2台；

2.9.2．1000VA蒸发电源1台；（选项）

2.9.3．500VA 直流电源1台；（选购）

2.9.4．500VA射频电源1台；（选购）

2.9.5．0～-300V偏压电源1台；（选购）

2.10.水冷循环系统(选购)

配置TCWS制冷循环水机，循环水流量 1.2–1.5m3/h；制冷功率1KW； 控温

范围10–27 ℃。给靶、分子泵、电极提供稳定的制冷循环水，保证设备稳定

运行。

2.11.气路系统

2.11.1.MFC质量流量控制器：量程范围为0～50SCCM\0～100SCCM控制器2路。

2.11.2气体流量显示仪：安装两路显示；

2.11.3真空专用气源：高压无燥声气体压缩机，为气动阀的开/闭提供动力。

2.12.设备主机架及控制机柜：外观整洁、美观；

3.主要技术参数

3.1极限真空: 8×10-5Pa；

3.2恢复真空抽气时间：从大气抽至7×10-3Pa≤15min；

3.3工作真空: ≤7×10-3Pa；

3.4升压率：≤0.8Pa/h；

3.5基片（样品）加热温度：室温至300℃可调可控；

3.6基片旋转速度：2－20RPM，可调；

3.7膜厚不均匀性：≤±5%（40mm之内）。

4.设备工作环境

4.1供电：单相AC220V,功率≥8KVA；

4.2实验室要有独立地线：＜3Ω ，从设备到地线连接建议采用≥10mm2的扁平

铜线；

4.3供水：流量≥10L/min 水温≤25℃；

4.4高纯氩气一瓶；

4.5相对湿度：＜75%；

4.6室内无大量尘埃，无腐蚀性、易燃易爆气体；

4.7设备占地面积：长×宽: 2400mm× 1400mm。


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